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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(ch2016年是什么年á)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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